Đề 15 – Bài tập, đề thi trắc nghiệm online Kỹ thuật mạch điện tử

A A. Tạo ra dòng điện. B B. Hạn chế dòng điện. C C. Tăng điện áp. D D. Ổn định tần số.

A A. Ohm. B B. Henry. C C. Farad. D D. Volt.

A A. 1 lớp. B B. 2 lớp. C C. 3 lớp. D D. 4 lớp.

A A. 0. B B. 1. C C. Vô cùng lớn. D D. 100.

A A. Mạch chỉnh lưu. B B. Mạch khuếch đại. C C. Mạch ổn áp. D D. Mạch dao động.

A A. Điện trở của dây dẫn nối mạch. B B. Tổng điện trở của tất cả các linh kiện trong mạch. C C. Điện trở của một điện trở duy nhất có tác dụng tương đương với một đoạn mạch gồm nhiều điện trở. D D. Điện trở lớn nhất trong mạch.

A A. Điện trở R lớn nhất. B B. Điện dung C lớn nhất. C C. Điện kháng dung và điện kháng cảm bằng nhau. D D. Tổng trở của mạch đạt giá trị lớn nhất.

A A. Tăng tần số tín hiệu. B B. Giảm điện áp xoay chiều. C C. Biến đổi điện áp xoay chiều thành điện áp một chiều. D D. Ổn định dòng điện xoay chiều.

A A. Transistor lưỡng cực (BJT). B B. Transistor trường hiệu ứng cổng cách ly (MOSFET). C C. Transistor trường hiệu ứng tiếp giáp (JFET). D D. Transistor quang.

A A. Truyền dữ liệu số tốc độ cao. B B. Điều khiển tốc độ động cơ DC và điều chỉnh độ sáng LED. C C. Khuếch đại tín hiệu âm thanh. D D. Ổn định điện áp nguồn.

A A. Tín hiệu hình sin. B B. Tín hiệu hình tam giác. C C. Tín hiệu xung vuông. D D. Tín hiệu một chiều ổn định.

A A. Phép cộng logic (OR). B B. Phép nhân logic (AND). C C. Phép đảo logic (NOT). D D. Phép loại trừ logic (XOR).

A A. Cản trở sự thay đổi điện áp. B B. Cản trở sự thay đổi dòng điện. C C. Cho phép dòng điện một chiều đi qua nhưng chặn dòng điện xoay chiều. D D. Lưu trữ năng lượng dưới dạng điện trường.

A A. Mắc song song với tải. B B. Mắc nối tiếp với tải. C C. Mắc hỗn hợp (vừa nối tiếp, vừa song song). D D. Mắc trực tiếp vào nguồn điện.

A A. Tín hiệu có tần số cao. B B. Tín hiệu có tần số thấp. C C. Tất cả các tín hiệu tần số. D D. Không tín hiệu nào đi qua.

A A. Cùng pha. B B. Ngược pha 180 độ. C C. Lệch pha 90 độ. D D. Pha không xác định.

A A. Điện áp tối đa mà MOSFET chịu được. B B. Điện áp tối thiểu cần thiết để MOSFET bắt đầu dẫn dòng. C C. Điện áp làm MOSFET hoạt động ở vùng bão hòa. D D. Điện áp rơi trên MOSFET khi dẫn dòng.

A A. Khuếch đại tín hiệu nhỏ. B B. Đo điện trở không xác định. C C. Chỉnh lưu dòng điện xoay chiều. D D. Tạo dao động.

A A. Hệ số khuếch đại lớn hơn. B B. Loại bỏ nhiễu đồng pha tốt hơn. C C. Công suất tiêu thụ thấp hơn. D D. Đáp ứng tần số rộng hơn.

A A. Tốc độ hoạt động. B B. Số lượng đầu vào. C C. Trạng thái cấm (invalid state). D D. Công suất tiêu thụ.

A A. Khuếch đại tín hiệu âm thanh. B B. Ổn định điện áp nguồn. C C. Tạo xung vuông, mạch định thời và dao động. D D. Chuyển đổi tín hiệu số sang tín hiệu tương tự.

A A. Điện trở không đổi theo nhiệt độ. B B. Điện trở thay đổi tuyến tính theo điện áp. C C. Điện trở thay đổi theo nhiệt độ. D D. Điện trở chỉ thay đổi khi có ánh sáng.

A A. 2. B B. 8. C C. 10. D D. 16.

A A. Lưu trữ dữ liệu tạm thời trong quá trình hoạt động. B B. Lưu trữ dữ liệu chỉ đọc, không thể ghi hoặc sửa đổi trong quá trình hoạt động bình thường. C C. Lưu trữ dữ liệu có thể đọc và ghi ngẫu nhiên. D D. Tăng tốc độ xử lý của CPU.

A A. Hiệu suất cao hơn. B B. Méo xuyên tâm (crossover distortion) ít hơn. C C. Công suất đầu ra lớn hơn. D D. Mạch đơn giản hơn.

A A. Tăng hệ số khuếch đại. B B. Giảm hệ số khuếch đại, ổn định hệ số khuếch đại và cải thiện độ tuyến tính. C C. Tăng trở kháng đầu vào. D D. Giảm trở kháng đầu ra.

A A. Điện áp. B B. Dòng điện. C C. Công suất hoặc tỷ lệ công suất/điện áp/dòng điện. D D. Điện trở.

A A. Khuếch đại tín hiệu nhỏ. B B. So sánh hai mức điện áp và đưa ra tín hiệu logic tương ứng. C C. Ổn định điện áp nguồn. D D. Tạo dao động hình sin.

A A. Tăng điện trở trong mạch. B B. Sử dụng tụ điện lọc nhiễu và vỏ bọc kim loại. C C. Giảm điện áp nguồn cung cấp. D D. Sử dụng dây dẫn dài hơn.

A A. Vùng tuyến tính (Linear region). B B. Vùng bão hòa và ngắt (Saturation and Cut-off regions - Chế độ đóng/mở). C C. Vùng tích cực (Active region). D D. Vùng ngược (Reverse region).